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創(chuàng)新培訓理念，研發(fā)成果領先
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2023
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02
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01
優(yōu)越的性能,支持各類芯片的燒寫，支持單板，多拼板同時燒寫。 智能化的操作---自動按順序完成指定任務：裝載/定位/燒錄/分類/印字(用外部打印機工作)/卸載，強大的系統軟件控制。 省時高效，節(jié)省30%~70%燒錄成本，不同產品系列只需調節(jié)軌道寬度，更換上下針床即可，真正實現無耗材費用產生。 采用并行燒錄；支持連板燒錄，一次可燒錄8連板，16，32拼版 可根據實際情況進行選擇燒錄口數。 提供良好用戶...
2023
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02
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01
優(yōu)越的性能---系統可選 1~N 臺連機設備，提高工作效率。 智能化的操作---自動按順序完成指定任務：裝載/定位/燒錄/分類/印字(用外部打印機工作)/卸載，強大的系統軟件控制。 多站點燒錄---多達 N 個工作站同時異步燒錄；當燒寫高密度 Memory時最 大限度地減少設備的等待空閑時間。 快速可靠，為高速生產工業(yè)化環(huán)境定制，雙軌道式架構模式，緊跟生產效率。 省時高效，節(jié)省30%~70%燒錄成...
2020
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07
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AF-32E為永創(chuàng)精心研發(fā)的第三代全自動燒錄系統，可以實現托盤，卷帶，管裝來料方式進行全自動芯片燒寫。且支持不同IC種類封裝，如QFP，SOP，TSSOP，PLCC，TSOP，QFN，BGA等一些芯片封裝形式的芯片燒寫，最多可支持32顆芯片同時燒寫。 ² 可搭載4臺全功能型F-800U編程器 ² 最多可支援32個socket同時工作。&#...
2019
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07
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12
搭載最新一代 F-800U UNIVERSAL ProgMaster 高速萬用燒錄器(可支持定制燒錄器)，提供全方位自動化燒錄解決方案。無論是托盤、卷帶或 料管包裝的 SPINAND/NOR FLASH、EEPROM、eMMC、MCU等不同系列的可編程 IC 皆可在系統上進行自動化燒錄。AF-32E 搭配4臺 F-800U萬用燒錄器(可支持定制燒錄器)，提供 32 個燒錄座，提供高速穩(wěn)定的效能,讓...
2019
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07
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12
AF-32P為永創(chuàng)精心研發(fā)的第三代全自動燒錄系統，可以實現托盤，卷帶，管裝來料方式進行全自動芯片燒寫。且支持不同IC種類封裝，如QFP，SOP，TSSOP，PLCC，TSOP，QFN，BGA等一些芯片封裝形式的芯片燒寫，最多可支持32顆芯片同時燒寫。 ² 可搭載4臺全功能型F-800U編程器 ² 最多可支援32個socket同時工作。&#...
2019
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07
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16
F-800U高速通用型編程器 性能特點： 1.支持芯片種類：EEPROM，SPI FLASH，NOR FALSH,NAND FLASH,MCU,CPLD,FPGA,eMMC等 2.支持芯片封裝：SOIC，SOP，TSOP,PLCC,QFP,QFN,SON，BGA等 3.支持芯片包裝：卷帶Tape Reel,管裝Tube,崔盤Tray 4.高速編程，...
2019
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03
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30
可用于更高精度和產能要求的場景取放極其精準：采用日本進口研磨靜音級絲桿搭建的傳動系統,上下進口CCD識別系統。架構久經檢驗：從AF-32系列到AF-48系列，經驗的積淀。操作更便捷：立足OP視角，讓操作更集成。適配性更強：根據芯片燒錄時間長短，可適配1~72sets.根據取放速度要求，可適配2~4吸嘴。 根據所需燒錄芯片種類的不同，可適配不同燒錄核心。UPH：1000~3000支持包裝相...
NOR Flash閃存技術是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術之一。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器)和EEPROM(電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NOR Flash 的特點是芯片內執(zhí)行（XIP ，eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在Flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的寫入速度比NOR快很多，在設計中應該考慮這些情況。——《ARM嵌入式Linux系統開發(fā)從入門到精通》 李亞峰 歐文盛 等編著 清華大學出版社 P52 注釋 API Key性能比較flash閃存是...
發(fā)布時間:
2018
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07
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27
瀏覽次數：443
在可程式元件選擇眾多的今日，您可以輕易地將數百萬位元的程式和資料永久地保存在FLASH、EPROM、中，或是將百來顆的傳統數位元件塞進一個指甲般大小的CPLD、FPGA、MCU之中；也可以將整個微電腦化為一顆單晶片，這整個過程只需要借助一臺編程器就可以完成，下面為大家介紹一下編程器：編程器依使用的需求，大概可以分為研發(fā)用和量產用兩大類型，不同的使用目的也造就了不同的設計理念和特性，今天我們著重了解量產型編程器。這一類的編程器通常已經歸屬到生產設備的范疇，售價不是最大的考慮，良率、穩(wěn)定、產能和服務才是重要的決定因素。影響元件燒錄良率的要素有三：編程器、IC的制程更新、操作人員；其中編程器又占了最重的比重，只要設計良好，完全遵守IC廠商規(guī)范的燒錄演算法（Algorithm）,并隨時配合IC制造商的變更，在最短時間內讓使用者能有最佳的燒錄方法可用，再加上恰到好處的防呆設計，避免操作人員的疏失，如此才造就出了近乎完美的燒錄良率。而生產單位不比辦公室，除了環(huán)境因數之外，一天8小時甚至24小時的長時間使用，編程器的穩(wěn)定度就決定了您的生產線會不會斷線。再者如果您是在燒錄FLASH、EPROM或其它大容量的IC就要考到編程器的產出率，在同樣合乎IC的規(guī)范下快慢的差異可能有數倍之多，考量您的工時和整體產能，產出率也是一大重點。如果前面幾點比較起來差異不大，那編程器廠商的快速服務和永久經營就決定了一切...
發(fā)布時間:
2018
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07
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25
瀏覽次數：333
3D NAND Flash 作為新一代的存儲產品，受到了業(yè)內的高度關注！但目前3D NAND僅由三星電子獨家量產。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存？從新聞到評測，我們對3D NAND閃存的報道已經非常多了，首先我們要搞懂什么是3D NAND閃存。我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。3D NAND閃存也不再是簡單的平面內存堆棧，這只是其中的一種，還有VC垂直通道、VG垂直柵極等兩種結構。3D NAND閃存有什么優(yōu)勢？在回答3D NAND閃存有什么優(yōu)勢的時候，我們先要了解平面NAND遇到什么問題了——NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC類型之分，為了進一步提高容量、降低成本，NAND的制程工藝也在不斷進步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND閃存跟處理器不一樣，先進工藝雖然帶來了更大...
發(fā)布時間:
2016
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10
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21
瀏覽次數：926
大功率IGBT模塊靜參數測試儀系統-蘇州永創(chuàng)智能科技-STD6500-軌道級電網級應用案例IGBT模塊靜參數測試儀系統@測試參數IGEs∶柵極漏流VGE(th)∶柵極發(fā)射極閾值電壓VCEsat∶集電極發(fā)射極飽和電壓VF∶二極管正向壓降ICEs∶集電極截止電流VCES∶集電極擊穿電壓IGBT模塊靜參數測試儀系統@輸出配置集電極電壓（VCE）：標配：6500V選配：10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV集電極電流（ICE）：標配：1600A選配：10KA,5KA,2400A,1600A柵極電壓（VGE）：40V（選配100V）柵極電流（IGE）：10uA；IGBT模塊靜參數測試儀系統@系統特點用于大功率IGBT 和 Diode模塊的靜態(tài)直流參數測試。電壓10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV；電流10KA,5KA,2400A,1600A；智能化、自動式操作基于“測試主機”“計算機程控系統”“氣動工裝”協調完成。DUT連接“氣動工裝”“軟連接”均可；操作簡單（點按鈕，艙門開，手動將DUT放置夾具底座，再點擊，夾具底座歸艙，艙門關。點擊按鈕完成測試且數據自動保存）；編程簡單（參考器件規(guī)格書在軟件上編輯“測試程序”）；不同封裝形式提供不同的定制“適配器”；可進行室溫~200℃高溫測試，此項目屬于選配；測試結果自動保存為EXCEL文件；安全穩(wěn)定（PLC對設備工作狀態(tài)全程實...
發(fā)布時間:
2025
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04
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16
瀏覽次數：12